石墨的铁磁有序与缺陷有关

石墨的铁磁有序与缺陷有关

采用超导量子干涉仪装置测量石墨柱在注入前后的室温磁性变化,发现12C+注入可以调节石墨铁磁性。综上所述,石墨的铁磁有序与缺陷有关,通过调节离子注入的能量与离子注入的剂量能有效调控石墨铁磁有序。但是在碳材料中存在的缺陷种类繁多,实验上很难确定到底是哪类缺陷对碳材料铁磁有贡献。并且关于缺陷之间的磁相互作用问题一直都没有一个最直接的解释。我们主要采用12C+注入高定向热解石墨(HOPG)使石墨具有空位缺陷和间隙原子缺陷,研究缺陷与石墨铁磁有序的关系。离子注入在石墨中形成的缺陷种类繁多。 我们采用正电子湮灭技术和SQUID磁性测量结合退火研究石墨铁磁有序与空位缺陷的关系,发现注入70keV的12C+(1×1015cm-2)使石墨形成230nm厚的缺陷层,含有单空位、双空位、四空位、六空位和九空位,同样磁性测量发现离子注入使石墨的铁磁有序增强。15keV的H+注入(1×1015cm-2)使石墨的缺陷层具有了明显的六圆环加H的吸收峰,揭示空位缺陷与H结合形成C-H键。大剂量(1×1016cm-2)注入15keV的H+能够形成更多的C-H键,并且还能够在FY谱中观测到281.6eV的吸收峰,揭示石墨被大剂量H+注入后形成了空位团,导致石墨局域结构无序。将石墨碳棒样品在200℃下退火一个小时,发现离子注入形成的空位缺陷和增加的铁磁同时消失,揭示空位缺陷与石墨铁磁有序密切相关。与H.Ohldag与P. Esquinazi等人结果一致。H+注入(6.25×1016cm-2)前后高定向热解石墨的磁圆二色谱,发现280-285eV之间的π共价态具有明显的磁圆二色性,同时还发现C-H键也有磁圆二色性,即化学吸附H的缺陷结构和π的共价态对石墨铁磁有序都有影响。石墨的空位缺陷可以捕获电子成为顺磁中心,只要空位缺陷之间有耦合作用就可以形成铁磁。电子自旋共振和SQUID磁性测量研究石墨的铁磁机理。原始石墨的电子自旋共振峰是典型的Dyson峰型,揭示石墨的导体特性。 L1峰和D1峰完全不同,L1峰的g因子没有各向异性,也不随温度变化,因此L1峰是由局域缺陷形成,揭示注入改变了石墨表面的能带结构；L1峰的峰宽也不随温度变化,说明未成对电子间的相互作用不随温度变化；L1峰的强度随着温度升高而减弱,与石墨铁磁有序的温度变化一致,因此石墨的铁磁性与局域缺陷有关,石墨铁磁性随着温度升高而减弱的主要原因是热效应导致有效未成对电子数减少。70keV的12C+注入使石墨在不同于Dyson峰的位置形成了一个类Lorentz峰(L1)。L1峰随着注入剂量增加而增强,揭示L1峰与石墨缺陷密度有关。磁性测量揭示L1峰与石墨的铁磁有序有关。L1峰的性质反映了石墨的铁磁有序是巡游电子和空位缺陷强耦合作用的结果,也揭示了石墨铁磁磁矩随着温度升高而减弱的主要原因是由热效应导致有效未成对电子数减少。 实际上,L1峰是不对称的,揭示了载流自旋与局域自旋之间有强耦合作用。空位缺陷可以捕获电子成为顺磁中心,具有净余磁矩。但是随着温度升高,电子运动越剧烈,就越不容易被空位缺陷捕获,有效未成对电子数会减少。